[17p-PA06-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[17p-PA06-1] PLD法によるLaTaO₄エピタキシャル薄膜の作製

〇森井 颯大¹、浜嵜 容丞¹、江原 祥隆¹、安井 伸太郎²、澤井 眞也¹ (1.防衛大学校、2.東京工業大学)

キーワード：強誘電体、薄膜

直方晶LaTaO₄は、第一原理計算によりチタン酸バリウム(BaTiO₃)の25 μC/cm²を超える36 μC/cm²の自発分極が報告されており、非鉛強誘電体として非常に興味深い材料である。しかし、LaTaO₄では非極性の単斜晶が安定相であり、準安定相の直方晶の単結晶育成が困難なため詳細な誘電特性について調べられていない。そこで、本研究では詳細な誘電特性を調べるため直方晶LaTaO₄のエピタキシャル薄膜の作製を試みた。