[17p-PA06-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[17p-PA06-2] Effect of Nb substitution on properties of LaTaO₄ thin films fabricated by chemical solution deposition method

〇Hiromi Shima¹, Yosuke Hamasaki¹, Shinya Sawai¹, Hiroshi Uchida² (1.Nat. Def. Acad., 2.Sophia Univ.)

Keywords:perovskite slab structure, LaTaO4, Nb substitution

LaTaO₄ はペロブスカイトスラブ構造をもつ物質で、単斜晶と直方晶の2 種類の結晶構造をもつ。直方晶相は第一原理計算により、36 μC/cm² の自発分極をもつことが報告されているが、室温において単斜晶相と直方晶相の二相が共存することから、固相合成法による直方晶単相の合成が困難で、いまだ直方晶単相のLaTaO₄ の強誘電性の報告はない。我々は、基板歪みによる応力に着目し、化学溶液堆積法による作製を試みている。本研究ではイオン半径の近いNb置換した膜を作製し、その基礎特性を評価した。