[17p-PA06-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[17p-PA06-6] PLD法を用いたYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御

〇葉山 琢充¹、嶋本 健人¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪公大院工)

キーワード：強相関電子系物質、RFe2O4、パルスレーザー堆積法