[17p-PA06-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

[17p-PA06-8] Improvement of Epitaxial (K,Na)NbO₃ Thin Films Grown on Si Substrates using Buffer Layers

〇Kiyotaka Tanaka¹, Rei Ogawa¹, Sang Hyo Kweon¹, Goon Tan², Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ., 2.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:piezoelectric, (K, Na)NbO3, thin film

非鉛圧電材料として高いキュリー温度と優れた圧電特性を示す(K,Na)NbO₃（KNN）が注目されている。我々はスパッタ法によりSi基板上に作製したエピタキシャルKNN薄膜をこれまで報告し，その誘電・圧電特性は一般的な酸素欠陥に加えてAサイト欠陥にも影響されると考えられる。今回はKやNaの拡散対策としてBiFeO₃バッファ層を導入したKNN薄膜を作製し，バッファ層の効果について報告する。