[17p-PA06-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[17p-PA06-9] ALD法によりGa₂O₃基板上に作製したHf_xZr_1-xO₂薄膜の結晶化過程 Ⅱ

〇内藤 圭吾¹、山口 晃一²、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪公大院工、2.阪府大工)

キーワード：Hf系強誘電体、酸化ガリウム、ALD法