[17p-PB01-1~4] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[17p-PB01-3] First-principles calculation of XANES spectra for Sc_xGa_1-xN

〇(M1C)Yu Ikemoto¹, Kenji Hirata², Hiroyuki Setoyama³, Shinya Ohmagari², Sri Ayu Anggraini², Morito Akiyama², Hiroshi Yamada^1,2, Masato Uehara^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.AIST, 3.SAGA-LS)

Keywords:piezoelectric material, first-principles calculation, nitride

ウルツ鉱構造のGaNはSc添加することで圧電性能が飛躍的に向上する。第一原理計算よる報文では、ScGaNにおけるGaやScの局所構造の変化に伴う格子定数比c/aの減少と圧電性能の相関が示されてきた。我々はX線吸収分光法を用い、ScGaNの構成元素それぞれの局所構造や配位構造の解明を試みている。本発表では、実験によるX線吸収端近傍構造(XANES)スペクトルの考察のために、第一原理計算を用いてSc_xGa_1-xNにおけるGa-K端とSc-K端の XANESスペクトルを算出した。