[17p-PB01-1~4] 9.1 誘電材料・誘電体

[17p-PB01-3] Sc_xGa_1-xNにおけるXANESスペクトルの第一原理計算

〇(M1C)池本 勇¹、平田 研二²、瀬戸山 寛之³、大曲 新矢²、Anggraini Sri Ayu²、秋山 守人²、山田 浩志^1,2、上原 雅人^1,2 (1.九大総理工、2.産総研、3.SAGA-LS)

キーワード：圧電体、第一原理計算、窒化物

ウルツ鉱構造のGaNはSc添加することで圧電性能が飛躍的に向上する。第一原理計算よる報文では、ScGaNにおけるGaやScの局所構造の変化に伴う格子定数比c/aの減少と圧電性能の相関が示されてきた。我々はX線吸収分光法を用い、ScGaNの構成元素それぞれの局所構造や配位構造の解明を試みている。本発表では、実験によるX線吸収端近傍構造(XANES)スペクトルの考察のために、第一原理計算を用いてSc_xGa_1-xNにおけるGa-K端とSc-K端の XANESスペクトルを算出した。