[17p-PB03-1~7] 13.9 化合物太陽電池

[17p-PB03-3] 同時蒸着法を用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜太陽電池の作製

〇田崎 傑士¹、荒木 秀明¹ (1.長岡高専)

キーワード：Cu2Sn1-xGexS3、薄膜、太陽電池

本研究では、次世代太陽電池の光吸収材料として期待されるCu₂Sn_1-xGe_xS₃（CTGS）の作製を行った。CTGS薄膜は、2段階の同時蒸着法と赤外線加熱炉での硫化処理により作製した。得られたCTGS薄膜は、硫化処理時にCTGS薄膜表面をカーボンサセプターと対向させることで、Ge-S化合物の再蒸発が抑制されることを実証した。最も良好な太陽電池は、[Ge]/([Sn]+[Ge])組成比0.122において開放電圧0.33 V、短絡電流密度 29.7 mA/cm²、曲線因子0.50 、および光電変換効率 4.92 %を示した。