[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-3] InGaN/GaN半極性面活性層を有するナノコラムの構造安定化

〇石沢 峻介¹、赤坂 康一郎¹、両角 浩一¹、赤塚 泰斗¹、中川 洋平¹、野田 貴史¹、岸野 克巳² (1.セイコーエプソン(株)、2.上智大ナノテク)

キーワード：ナノコラム、ナノワイヤ、InGaN

ボトムアップ成長によるInGaN系ナノコラムのLED応用は、歪み緩和による結晶欠陥の低減などにより高効率な赤色発光が期待される。RF-MBE法を用いて、半極性面積層のInGaN/GaN MQWを有するナノコラム構造を作製した。断面TEM分析により、ナノコラム内部にIn組成の分布が生じていることがわかった。直径の異なるナノコラムを調べたところ、直径が細い場合に均質化する傾向がみられた。