[17p-PB07-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-PB07-7] 2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性の通電時間依存性

〇神尾 岳¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：窒化ガリウム、陽極酸化

GaN系デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、n-GaNを陽極酸化後にウェットエッチングする2段階ウェットエッチング法を2019年に提案した。我々は新規材料としてのデバイス応用も念頭に陽極酸化によるn-GaNの電気伝導特性の変化を検討しており、今回、陽極酸化n-GaNの電気伝導特性の通電時間依存性を調べたところ、通電時間に伴い電子濃度、ホール移動度ともに減少することが明らかになった。