The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

Sat. Mar 18, 2023 9:00 AM - 12:30 PM A301 (Building No. 6)

Kozo Makiyama(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

12:15 PM - 12:30 PM

[18a-A301-13] Fabrication and Characterization of GaN HEMT on-diamond Structure

〇(M1)Yuzuki Hayakawa1, Yutaka Ohno2, Yasuyoshi Nagai2, Naoteru Shigekawa1, Jianbo Liang1 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.IMR Tohoku Univ.)

Keywords:semiconductor

AlGaN/GaN HEMTは高出力・高周波動作時における自己発熱による出力と信頼性の低下が課題となっている。今回、我々はSi上に結晶成長したAlGaN/GaN層を表面活性化接合 (SAB)法を用いて常温でCVDダイヤモンド基板へ転写し、GaN HEMTの作製と電流―電圧特性の評価を行った。