2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月18日(土) 09:00 〜 12:30 A301 (6号館)

牧山 剛三(住友電工)

09:45 〜 10:00

[18a-A301-4] 表面にAl導入したGaN-MOSFETの特性

上野 勝典1、近藤 剣1、田中 亮1、高島 信也1、江戸 雅晴1、諏訪 智之2 (1.富士電機(株)、2.東北大NICHe)

キーワード:GaN、MOSFET、チャネル移動度

GaN系パワーデバイスの実用化のためにはMOSFETの移動度向上が強く望まれており、MOSチャネル制御は重要な要素技術である。AlNをGaN上に形成後熱処理した表面にMOSFETを作成すると移動度が向上することを過去に報告したが、今回形成温度をかえて特性変化を調べたところ、温度が高いほど表面Al濃度が高く、また移動度も上昇することがわかった。