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[18a-A301-4] 表面にAl導入したGaN-MOSFETの特性
キーワード:GaN、MOSFET、チャネル移動度
GaN系パワーデバイスの実用化のためにはMOSFETの移動度向上が強く望まれており、MOSチャネル制御は重要な要素技術である。AlNをGaN上に形成後熱処理した表面にMOSFETを作成すると移動度が向上することを過去に報告したが、今回形成温度をかえて特性変化を調べたところ、温度が高いほど表面Al濃度が高く、また移動度も上昇することがわかった。