10:45 AM - 11:00 AM
[18a-A302-4] Effect of Au doped layer and Hf layer on resistance change behavior of HfO2 based ReRAM device
Keywords:ReRAM
HfOx膜中にAu中間層を導入し、HfOx層に接して酸素スカベンジャー層としてHf層を設けたReRAMの抵抗変化挙動について比較、評価する。
Oral presentation
6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics
Sat. Mar 18, 2023 10:00 AM - 11:30 AM A302 (Building No. 6)
Akira Sakai(Osaka Univ.)
10:45 AM - 11:00 AM
Keywords:ReRAM