[18a-A302-1~6] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-A302-4] HfO₂-ReRAMにおけるAuドープ層とHf層の抵抗変化挙動への影響

〇田中 正和¹、黄 川洋¹、岡安 信治¹、清水 智弘¹、伊藤 健¹、新宮原 正三¹ (1.関西大理工)

キーワード：抵抗変化メモリ

HfOx膜中にAu中間層を導入し、HfOx層に接して酸素スカベンジャー層としてHf層を設けたReRAMの抵抗変化挙動について比較、評価する。