[18a-A302-1~6] 6.3 Oxide electronics

[18a-A302-4] Effect of Au doped layer and Hf layer on resistance change behavior of HfO₂ based ReRAM device

〇Masakazu Tanaka¹, Chuanyang Huang¹, Shinji Okayasu¹, Tomohiro Shimizu¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:ReRAM

HfOx膜中にAu中間層を導入し、HfOx層に接して酸素スカベンジャー層としてHf層を設けたReRAMの抵抗変化挙動について比較、評価する。