2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマナノテクノロジー

[18a-A408-1~9] 8.3 プラズマナノテクノロジー

2023年3月18日(土) 09:00 〜 11:30 A408 (6号館)

北嶋 武(防衛大)、鎌滝 晋礼(九大)

10:30 〜 10:45

[18a-A408-6] プラズモニックプラズマプロセス由来のシリコン上絶縁膜の断面観察

北嶋 武1、渡邉 一叶1、中野 俊樹1 (1.防大電気)

キーワード:プラズマ、プラズモン、絶縁膜

金ナノ粒子から供給されるホットエレクトロンをプラズマ表面反応へ応用したプラズモニックプラズマプロセスにより、良質な絶縁膜が室温形成できる。今回絶縁膜の面内均一性と金ナノ粒子周囲での形成状況を断面TEMにより評価した。結果、100nm以上の面内範囲で±0.2nm以下の膜厚均一性が確認できた。また、直径8.4nmの金ナノ粒子の下に膜厚ゆらぎのない膜厚2.9nmのSiON膜が形成されていることが確認できた。