[18a-A410-1~9] FS.1 Focused Session "AI Electronics"

△ [18a-A410-6] Ion-Gating reservoir using Li⁺ insertion/desertion in (104)oriented LiCoO₂ film

〇Kaoru Shibata^1,2, Daiki Nishioka^1,2, Tomoki Wada^1,2, Wataru Namiki¹, Takashi Tsuchiya^1,2, Tohru Higuchi², Kazuya Terabe¹ (1.NIMS, 2.TUS)

Keywords:Reservoir Computing, Ion-gating reservoir, Nanoionics

本研究では、(104)面に配向したLi⁺イオン-正孔混合伝導性薄膜をチャネルとして用い、イオンの挿入・脱離に伴う酸化還元反応による抵抗変化を利用する酸化還元型イオンゲーティングリザバー(IGR)を作製した。ランダム波U(k)をゲート電極に電圧パルス列として入力し、NARMA２タスクの予測誤差を評価したところ、1.58×10^-2であり、既報のIGRと比較して30%程度低い誤差が得られた。