[18a-A410-1~9] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [18a-A410-6] (104)配向LiCoO₂薄膜のLi⁺イオン挿入・脱離を利用するイオンゲーティングリザバー

〇柴田 馨^1,2、西岡 大貴^1,2、和田 友紀^1,2、並木 航¹、土屋 敬志^1,2、樋口 透²、寺部 一弥¹ (1.物材機構、2.東理大理)

キーワード：リザバーコンピューティング、イオンゲーティングリザバー、ナノイオニクス

本研究では、(104)面に配向したLi⁺イオン-正孔混合伝導性薄膜をチャネルとして用い、イオンの挿入・脱離に伴う酸化還元反応による抵抗変化を利用する酸化還元型イオンゲーティングリザバー(IGR)を作製した。ランダム波U(k)をゲート電極に電圧パルス列として入力し、NARMA２タスクの予測誤差を評価したところ、1.58×10^-2であり、既報のIGRと比較して30%程度低い誤差が得られた。