[18a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-B401-5] Fabrication and evaluation of n-GaN films using Si-containing GaN targets

〇Junya Iihama¹, Koh Bando¹, Erisa Kano¹, Yuya Suemoto¹, Yoshiro Kususe¹, Yoshihiro Ueoka¹, Masami Mesuda¹ (1.Tosoh Corporation)

Keywords:Gallium Nitride, sputtering, semiconductor

スパッタ法を用いたGaNの成膜法は、低コストかつ低毒性なプロセスとして期待されている。東ソーでは、独自の焼結技術による高密度・低酸素なGaNターゲットを開発しており、これまでにスパッタGaN薄膜上にてHEMTデバイスが駆動することを報告している。スパッタGaN薄膜のデバイス適用に向け、Siを添加したGaNターゲットを新たに開発した。本検討では、Si含有GaNターゲットを用いたスパッタ法n型GaN薄膜の作製および評価を実施した。