[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-B401-6] GaN基板上GaNのMOVPE成長の表面モフォロジーとキャリア濃度の相関

〇渡邉 浩崇¹、新田 州吾¹、隈部 岳瑠²、川崎 晟也²、大西 一生¹、本田 善央¹、天野 浩^1,3,4 (1.名大未来材料・システム研究所、2.名大院工、3.名大VBL、4.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、有機金属気相成長、キャリア濃度