[18a-B401-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [18a-B401-7] Record maximum low-temperature mobility of bulk GaN: 14300 cm²/Vs

〇Shota Kaneki¹, Taichiro Konno¹, Takeshi Kimura¹, Kazutaka Kanegae^2,3, Jun Suda^3,4, Hajime Fujikura¹ (1.Sumitomo Chemical, 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ., 4.Nagoya Univ., IMaSS)

Keywords:GaN, HVPE, Hall mobility

近年、HVPE法から石英部材を排除し、Quartz-free HVPE (QF-HVPE)とすることでGaN中のSi, O不純物を大幅に低減できることが示され、室温の最高移動度を1470 cm²/Vsに更新した。一方で、低温移動度についてはQF-HVPEで成長したGaNに関する報告は無い。本発表では、QF-HVPE法により成長したGaNバルク結晶に対して、Hall効果測定による移動度の温度特性評価を行い、これまでの低温移動度の最高値を大幅に更新する14300 cm²/Vsを観測したので報告する。