[18a-B401-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [18a-B401-7] バルクGaNの低温最高移動度の更新：14300cm²/Vs

〇金木 奨太¹、今野 泰一郎¹、木村 健司¹、鐘ヶ江 一孝^2,3、須田 淳^3,4、藤倉 序章¹ (1.住友化学、2.京大院工、3.名大院工、4.名大未来研)

キーワード：窒化ガリウム、ハイドライド気相成長法、Hall移動度

近年、HVPE法から石英部材を排除し、Quartz-free HVPE (QF-HVPE)とすることでGaN中のSi, O不純物を大幅に低減できることが示され、室温の最高移動度を1470 cm²/Vsに更新した。一方で、低温移動度についてはQF-HVPEで成長したGaNに関する報告は無い。本発表では、QF-HVPE法により成長したGaNバルク結晶に対して、Hall効果測定による移動度の温度特性評価を行い、これまでの低温移動度の最高値を大幅に更新する14300 cm²/Vsを観測したので報告する。