[18a-D411-1~11] 2.2 放射線物理一般・放射線応用・発生装置・新技術

[18a-D411-1] 単一イオンビーム注入装置用二段加速レンズの設計
―第2加速レンズの設計―

〇石井 保行¹、宮脇 信正¹、百合 庸介¹、小野田 忍¹、鳴海 一雅¹、齋藤 勇一¹ (1.量研高崎)

キーワード：単一イオン注入装置、線形ポールトラップ型レーザー冷却装置、加速レンズ

量研では、単一の窒素イオンを数10keVまで加速し、ナノメートルの精度で、1個ずつ試料に注入する技術として、数10keV単一イオン注入（Single Ion Implantation: SII）装置を開発している。この装置では、単一イオンを既に研究成果が報告されている線形ポールトラップ型レーザー冷却（LPTC）装置[1]により発生する。本研究では、その単一イオンを数10keVまで加速し、数nm径に集束できるレンズを開発し、ナノメートル精度での照射を目指している。これまでサブミクロンビーム形成装置用に開発した100keV用二段加速レンズを基に、上記の条件に適した二段加速レンズの内の二段目のレンズを設計したので、その結果を報告する。