The 70th JSAP Spring Meeting 2023

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Oral presentation

22 Joint Session M » 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[18a-D511-1~10] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

Sat. Mar 18, 2023 9:00 AM - 11:45 AM D511 (Building No. 11)

Tsunehiro Takeuchi(Toyota Technol. Inst.), Takanobu Watanabe(Waseda Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[18a-D511-4] Large-scale Integration of Cavity-free Micro Thermoelectric Device (3)
Impact of Heat Guide Structure on the Power Generation Performance

Keita Kuga1, Tsubasa Kashizaki1, Shuhei Arai1, Takeo Matsuki1,2, Takanobu Watanabe1 (1.Waseda Univ., 2.AIST)

Keywords:Thermoelectric Device

Siナノワイヤを利用したマイクロ熱電デバイスにおいて、熱局所注入に必要な構造である導熱路(HG)を囲む層間絶縁膜(ILD)を厚く形成することで、単段デバイスで発電性能が向上することが先行研究によって明らかになっている。本研究では集積デバイスにおいてILD厚さが発電性能に与える影響を、実際にデバイスを作製し調査した。その結果集積デバイスにおいても、厚いILDを有するデバイスの方がより高い発電性能を示すことが確認された。