[18a-D704-1~11] 10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術

[18a-D704-5] 表面金属状態を有するSrTiO₃におけるイオンゲーティングによる円偏光ガルバノ効果の変調

〇山本 真央¹、西嶋 泰樹^1,2、大島 諒^1,2、安藤 裕一郎^1,2、白石 誠司^1,2 (1.京大工、2.CSRN京都大学)

キーワード：チタン酸ストロンチウム、円偏光ガルバノ効果、スピン計測

SrTiO₃(STO) は超伝導体，強誘電体，さらには不純物ドーピングによって半導体としてもふるまうなど，様々な興味深い物性を示す．また，表面をアルゴンイオンでエッチングすることで格子中の酸素欠損層が生じることにより表面において金属的な伝導状態となることが知られているが，この表面金属状態ではラシュバ型のスピン分裂が生じていると考えられている．本研究では表面金属状態を有するSTOにおけるラシュバ型スピン軌道相互作用を円偏光ガルバノ効果を用いて検出し，またイオン液体フィルムを用いたゲート電圧印加による円偏光ガルバノ効果の変調を観測した．