[18p-A202-1~8] CS.6 8.3 プラズマナノテクノロジー、9.2 ナノ粒子・ナノワイヤ・ナノシート、13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイスのコードシェアセッション

[18p-A202-2] 半導体ナノワイヤレーザへの集束イオンビーム加工とそのダメージ抑制

〇滝口 雅人^1,2、章 国強^1,2、佐々木 智²、舘野 功太^1,2、John Caleb²、小野 真証^1,2、角倉 久史^1,2、新家 昭彦^1,2、納富 雅也^1,2,3 (1.NTT NPC、2.NTT 物性研、3.東工大理)

キーワード：ナノワイヤ、レーザ、集束イオンビーム

これまで室温CW動作するナノワイヤレーザ[1]は実現されていない。これは、熱の影響が原因であり、ナノワイヤに共振器構造を導入し発振閾値を下げることは重要となる。本研究では、集束イオンビーム（FIB）を用い、ナノワイヤ自身に共振器構造を直接実装する。一般に曲率を持つ構造に電子線描画でパターニングすることは難しいため、FIBは有効な加工手段と考えられる。しかし、撃ち込まれるGaイオンが引き起こす活性層へのダメージは大きな問題となっていた。そこで今回、ハードマスクとしてアルミナ製膜後に加工を行うことで、そのダメージの抑制に成功した[2]。
[1] M. Notomi, et.al., Opt. Mater. Express, 10, 2560 (2020)
[2] M. Takiguchi, et.al., Nanotechnology, (2023) accepted