[18p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-B401-12] 分極ドープ組成傾斜AlGaN 構造形成による３次元電子スラブの生成

〇廣木 正伸¹、谷保 芳孝¹、熊倉 一英¹ (1.NTT物性研)

キーワード：AlN

組成傾斜AlGaN層を形成すると、高濃度の３次元電子スラブが形成される。しかし、AlNバッファ層上に形成した場合、界面に2次元ホールガスが誘起される懸念がある。今回、Al組成が減少する組成傾斜AlGaN下地層を持つバンドオフセットのない構造を提案を作製した。電気的特性を評価したところ、電子移動度は390 cm²/Vs、電子濃度は5.4×10¹⁷ cm^-3と高濃度の３次元電子スラブが形成されることを確認した。