[J132p] 加工技術の最前線［ポスター］

[J132p-02] Polishing mechanism based on surface condition of polishing pads for semiconductor CMP

〇Kaito Yonemoto¹, Takashi Fujita¹, Itou Takurou¹, Hirokuni Hiyama², Yutaka Wada², Hozumi Yasuda², Ryota Koshino² (1. 近畿大学大学院、2. 株式会社荏原製作所)

Keywords:酸化膜CMP、パッド表面状態、研磨メカニズム、摩擦力、化学的状態