国立研究開発法人物質・材料研究機構 先端材料解析研究拠点では、走査型ヘリウムイオン顕微鏡、極低温・高磁場走査型トンネル顕微鏡、低温走査型トンネル顕微鏡、スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡を用いた表面の高度な解析・分析の機会を広く提供しています。

　走査型ヘリウムイオン顕微鏡：　ナノ領域の観察とその場加工に優れています。サブナノメートルの分解能を持っています。走査型電子顕微鏡と同様の操作性や有機/生体/絶縁体が観察でき、元素識別、低損傷、大きな焦点深度の特性を持ち、Ga集束イオンビームを超える分解能でナノスケール加工が可能です。イオンビーム誘起ガス分解堆積を利用して、金属や絶縁体などのナノスケール構造を創製することができます。ZEISS社ORION PLUSガス銃等を装備しています。

　極低温・高磁場走査型トンネル顕微鏡：　半導体中のドーパント検出、 グラフェン・トポロジカル絶縁体の電子状態、表面磁性、超伝導材料、準結晶表面、量子効果の可視化を行います。測定温度は、0.5 K (連続30時間)、4.2 K (連続6日)、77 K (連続10日)可変磁場は 0〜16 T、エネルギー分解能は 1meV以下、真空度は <10-8 Paです。試料準備用にアルゴンイオンスパッタ銃、ヒーター(〜1200℃)、電子ビーム蒸着装置(最大6蒸着源)、低温マニピュレータ、探針先端観察用電界イオン顕微鏡装置を備えています。

　低温走査型トンネル顕微鏡：　導電性単結晶表面の微小試料の原子分解能観察およびトンネル分光測定を行います。測定温度は2.4 K 〜 40 K, 78 K、真空度は <10-8 Paです。試料準備用にアルゴンイオンスパッタ銃、ヒーター(〜1200℃)、電子ビーム蒸着装置、針先端観察用電界イオン顕微鏡装置を備えています。

　スピン偏極低エネルギー電子顕微鏡：　ナノ領域の観察と実時間3次元電子スピン解析を行います。数〜数十eVの電子ビームを試料表面に照射し、表面の凹凸（1原子ステップまで）の顕微投影像（10nmオーダーまで）とLEED低速電子回折パターンを観察します。照射電子のスピンを偏極させて表面の磁区や磁壁を検出(10 nmオーダーの分解能、実時間、3次元磁化ベクトル）できます。グラフェンなどの二次元物質あるいは薄膜の成長・反応過程における表面形状、結晶構造の変化を実時間で追跡できます。（ELMITEC社LEEM III スピン偏極電子銃を搭載）

ご利用のお申し込みは、文部科学技術省ナノテクノロジープラットフォーム、NIMS微細構造解析プラットフォー
https://www.nims.go.jp/nmcp/　nmcp@nims.go.jp　Tel. 029-859-2310　にて承ります。