[1Ca02-12] 表面科学(物性)

[1Ca08] 半導体基板上に形成された金属単原子層薄膜の超伝導絶縁体転移におけるステップの影響

*佐藤 優大¹、土師 将裕¹、吉澤 俊介²、内橋 隆²、長谷川 幸雄¹ (1. 東京大学物性研究所、2. 物質・材料研究機構)

ステップ密度の異なるSi(111)表面上のPb単原子層薄膜において磁場誘起超伝導絶縁体転移(SIT)を電気伝導測定および走査トンネル顕微鏡（STM）観察によって評価した。その結果、結晶性の高い系の特徴である異常金属状態を含む磁場誘起SITの振る舞いがステップ密度に依存することが判った。さらに、講演では、ステップ密度の増大により、クーパー対が局在したボース絶縁相が発現する可能性についても言及する。