[1Dp01-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[1Dp08] ポリイミド上へのVO₂薄膜成長と剥離後の電気的特性評価

*沖村 邦雄¹、宮武 佑多²、中西 俊博³ (1. 東海大学工学部、2. 東海大学大学院工学研究科、3. 京都大学大学院工学研究科)

本研究では石英及びガラス板上へ成長させたポリイミド膜(厚さ10 μm程度)上へVO₂結晶薄膜を堆積し，ポリイミド膜の剥離前後におけるVO2の電気的特性について調べた．ポリイミドを基板より剥離することでフレキシブルなVO₂薄膜を実現した．ガラス基板から剥離後も2桁以上の抵抗変化が見られた．