[1Dp01-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[1Dp12] 高周波マグネトロンスパッタにより成膜した窒化ハフニウム薄膜の結晶配向性の成膜時の基板位置依存性

*大住 知暉¹、後藤 康仁¹ (1. 京都大学大学院工学研究科)

高周波マグネトロンスパッタリングによって、窒化ハフニウム(HfN)ターゲットを用いて基板ホルダ上の異なる位置でHfN薄膜を成膜した。結晶配向性と成膜時の基板位置の関係をX線回折のロッキングカーブ測定によって調べた。高周波電力80 W、基板温度500℃、アルゴン圧力1.2 Paで成膜した場合、基板位置によりロッキングカーブが異なることから、結晶配向性が異なることが示唆された。