[2Ca07-13] 薄膜・表面工学・半導体・磁気・電子・光デバイス材料・電子材料プロセス

[2Ca12] マイクロ空間でのひずみ制御によるVO₂の相転移特性変調

*大坂 藍¹、李 瑞¹、Liliany Pamasi²、服部 賢²、田中 秀和¹、服部 梓¹ (1. 大阪大学産業科学研究所、2. 2奈良先端科学技術大学院大学 先端科学技術研究科)

強相関金属酸化物VO₂はで金属絶縁体相転移(MIT)に伴い巨大な抵抗変化を示す。VO₂のMITの最小単位は、数百 nm-数μmサイズの電子相であり、バルク・薄膜試料では、多数の電子相の平均化されたMITを特性として観察している。我々は、サイズ制御したVO₂マイクロ試料を作り出し、サイズに依存して、急峻抵抗の出現、転移温度の変調を実現した。