[2Ea03-14] 低次元・ナノ構造・ナノ物質

[2Ea04] フラーレン誘導体を用いた電子線照射領域依存性

*竹内 美洋^1,2、菅 洋志^1,2、王 映樵²、若原 孝次³、塚越 一仁^2,1 (1. 千葉工業大学、2. 国立研究開発法人物質・材料研究機構 　国際ナノアーキテクトニクス拠点、3. 物材機構 機能性材料研究拠点　)

近年,走査型トンネル顕微鏡を用いた電圧印加実験において,フラーレン同士の重合・解重合を制御した抵抗スイッチ効果が報告されており,記憶素子などへの応用も示唆される.そこで我々は,C₆₀ピロリジントリス酸(CPTA)薄膜と電子線リソグラフィを用いることで素子構造を設計できる平面型2端子構造を作製し,その電子線照射領域依存性を調べた.CPTA薄膜素子において,電子線照射領域における電流量の変化を確認した