[2P01-37] ポスター・企業展示

[2P02S] Cu(001)c(4×2)-Bi 表面の電子状態

*森井 七生¹、永友 慶¹、竹村 晃一¹、大内 拓実¹、瓜生 瞳美¹、長尾 俊佑¹、河添 理央¹、飯盛 拓嗣²、小森 文夫¹、平山 博之³、中辻 寛¹ (1. 東京工業大学物質理工学院、2. 東京大学物性研究所、3. 東京工業大学理学院)

Biが吸着した金属表面では、Biの大きなスピン軌道相互作用に起因するラシュバ効果によるスピン分裂バンドがしばしば報告されているが、Cu(001)基板上に得られるc(4×2)-Bi構造の電子状態については調べられていない。そこで本研究では、Cu(001)c(4×2)-Bi表面の電子状態を角度分解光電子分光を用いて調べた。清浄Cu表面の表面状態の変化と、新たに形成された表面状態について議論する。