[3Ba01-12] スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会「スパッタ・プラズマで切り拓くナノ構造の世界」

[3Ba07] 改良型スパッタ法による強誘電体メモリ材料ナノ結晶の形成

*西田 貴司¹、松澤 杏美¹、大賀 直哉¹、小野 淳之佑¹、田中 響¹、渡邉 力¹、井上 瑞基¹ (1. 福岡大学工学部)

強誘電体メモリ(FeRAM)の実現には材料のナノサイズ化と高品質化が必要である。本研究ではスパッタ法を改良して強誘電体材料であるPbTiO3のナノ結晶の育成に取り組んだ。基板にはサファイアの原子平坦面を用いた。その結果、得られたナノ結晶は高い配向性を有し、サイズは均一でかつ規則正しく配列していた。この改良スパッタ手法で、強誘電体ナノ結晶の高品質化に加え、形成位置の制御も可能であることが示された。