講演情報

口頭講演

D: レーザープロセシング

[D02-20p-V] 表面改質

2020年1月20日(月) 15:15 〜 17:30 第V会場 (展示棟)

座長:溝尻瑞枝(長岡技術科学大学産学融合トップランナー養成センター)

17:00 〜 17:15

[D02-20p-V-08] レーザーアニール法による低温多結晶Si薄膜の特性改善と電気特性評価

○濵野史暢¹、妹川要^1,2、中村大輔¹、後藤哲也³、池上浩^1,2 (1. 九大、2. 九大ギガフォトン共同部門、3. 東北大未来研)

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