【論文発表賞応募演題】<br />エキシマレーザーによるSiウェハへの超極浅・高濃度のレーザードーピング

講演情報

口頭講演

D: レーザープロセシング

[D11-20a-VII] 表面改質

2023年1月20日(金) 10:45 〜 12:30 第VII会場 (12階 1202)

座長：屋代英彦（国立研究開発法人産業技術総合研究所電子光基礎技術研究部門　先進レーザープロセスグループ）

10:45 〜 11:00

*青木蓮¹、片山慶太²、中村大輔²、佐道泰造²、池上浩^2,3 (1. 九州大学大学院システム情報科学府、2. 九州大学大学院システム情報科学研究院、3. 九州大学ギガフォトン Next GLP 共同部門)

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