講演情報

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口頭講演

F: 光機能材料・デバイス

[F05-20p-XII] 新規窒化物半導体レーザー

2023年1月20日(金) 13:30 〜 15:15 第XII会場 (12階 1208)

座長：片山竜二（大阪大学）

14:15 〜 14:30

[F05-20p-XII-03] AlGaN系UV-B 半導体レーザのキャリア注入効率向上に関する検討

*近藤涼輔¹、長谷川亮太¹、薮谷歩武¹、松原衣里¹、岩山章^1,2、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、三宅秀人² (1. 名城大学、2. 三重大学)

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