[P-07] Oxygen evolution overpotential of ruthenium oxide thin films prepared by reactive sputtering
Keywords:Ru酸化物, 酸素過電圧, 反応性スパッタ, 不溶性アノード, Zn電解採取
Zn電解採取における省電力の新規不溶性アノードとして,粉末圧延法により各種酸化物触媒を分散させたPb基アノードが製造された.その中で,RuO2を電極触媒として分散させたPb基アノードにおいて,著しいアノード電位の低下を確認できた.そこで,本研究では,反応性スッパタを用いてO/Ru比の異なる各種組成Ru酸化物薄膜を作製し,H2SO4水溶液中におけるアノード分極測定によって酸素過電圧を調査することにした.その結果,反応プラズマ中の酸素濃度25~100 vol.%において正方晶系RuO2薄膜が生成し,その酸素過電圧は同様の手法で作製したPbO2薄膜に比較して560 mV程度低いことが判明した.そのため,RuO2を電極触媒として分散させたPb基アノードの著しい電位低下は,Ru酸化物の低い酸素過電圧に起因すると結論できた.
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