湿式素材プロセッシング

[1705] 銅電解におけるアンチモンの酸化挙動

^○小山和也¹, 多田健太郎¹, 藤原祐太¹ (1.千葉工業大学)

司会:大石哲雄(産総研)

キーワード：アンチモン, 酸化, 銅電解

当研究室では銅電解におけるSb(III)の酸化および浮遊スライムの生成挙動について研究を行っている。銅電解精製においてSbはAs,Biとともに一部は溶液に、一部はスライムに分配する。一般的に水溶液中のSbは3価(Sb(III))と5価(Sb(V))が安定なイオンであり、Sb(V)は浮遊スライム生成の原因とも言われている。これは電気銅不純物や異常析出の原因の一つと考えられている。本研究はSb(III)の酸化について検討したものであり、実験は脱銅電解を想定し、鉛電極を用いたアノードにおけるSb(III)からSb(V) への酸化について調べた。この電解によりSb(V)が生成した。また、銅電解液には塩化物イオンが添加されているが、塩化物イオンが50mg/Lの場合には含まれていない場合に比べSb(V)の生成速度は大きかった。この理由として塩素の生成などが考えられる。またAs(III)はSb(III)の酸化速度を抑制するが、As(V)は関係しないことが分かった。