Materials Research Meeting 2021

講演情報

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Oral Session

A. New Materials Methodology for Next-Generation » [A-1] STAM Methods: Leading-Edge Methods for New Materials

[A1-O4] Slot 04

2021年12月14日(火) 13:30 〜 15:30 Room A (G401)

Chair: Yukari Katsura (National Institute for Materials Science), Tomofumi Tada (Kyushu University)

13:40 〜 14:00

[A1-O4-01(Symposium Invited)] Large-diameter SiC crystal grown by solution growth using surrogate model

*Toru UJIHARA1 (1. Nagoya Univ. (Japan))

キーワード：Machine Learning, Surrogate Model, Optimization, SiC, Crystal Growth

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