Ferroelectric Materials for Memory and Neuromorphic Device Applications

講演情報

Oral Session

B. Fundamentals of Novel Structure of Materials » [B-4] Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications

2021年12月13日(月) 09:00 〜 11:00 Room N (G314+315)

Chair: Alexei Gruverman (University of Nebraska-Lincon), Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology)

09:00 〜 09:30

*Jang-Sik Lee¹ (1. POSTECH (Korea))

キーワード：ferroelectric materials, memory devices, neuromorphic devices

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