Phase Transition Behavior and Ferroelectric Property of Chemical Solution Deposition-Derived HfO<sub>2</sub>-ZrO<sub>2</sub> Thin Films

講演情報

Oral Session

B. Fundamentals of Novel Structure of Materials » [B-4] Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications

[B4-O1] Slot 01

2021年12月13日(月) 09:00 〜 11:00 Room N (G314+315)

Chair: Alexei Gruverman (University of Nebraska-Lincon), Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology)

10:00 〜 10:15

*Ryohei Okamoto¹, Hiroshi Funakubo², Hiroshi Uchida¹ (1. Sophia Univ. (Japan), 2. Tokyo Tech. (Japan))

キーワード：Ferroelectrics, Hafnium dioxide, Zirconium dioxide, Thin Film, Chemical solution deposition

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