Charged Oxygen Vacancy Induced Ferroelectric Structure Transition in Hafnium Oxide

講演情報

Oral Session

B. Fundamentals of Novel Structure of Materials » [B-4] Recent development of novel ferroelectric materials, from fundamentals to applications

[B4-O1] Slot 01

2021年12月13日(月) 09:00 〜 11:00 Room N (G314+315)

Chair: Alexei Gruverman (University of Nebraska-Lincon), Hiroshi Funakubo (Tokyo Institute of Technology)

10:45 〜 11:00

*Ri He¹, Hongyu Wu¹, Zhicheng Zhong¹ (1. Ningbo Inst. of Materials Tech. and Eng., Chinese Academy of Sci. (China))

キーワード：Hafnium oxide, Ferroelectricity, Point defect, First-principles calculation

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