Local electronic structure of interstitial hydrogen in vanadium dioxide

講演情報

Oral Session

D. Frontiers of Advanced Electronic Materials » [D-3] Defect Functionalized Energy and Electronic Materials

[D3-O10] Slot 10

2021年12月16日(木) 16:00 〜 18:00 Room M (G312+313)

Chair: Toshio Kamiya (Tokyo Tech), David Scanlon (UCL)

17:15 〜 17:30

*Hirotaka Okabe¹, Masatoshi Hiraishi¹, Akihiro Koda¹, Ryosuke Kadono¹, Takeo Ohsawa², Naoki Ohashi² (1. KEK-IMSS (Japan), 2. NIMS (Japan))

キーワード：metal-insulator transition, hydrogen, muon

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