14:30 〜 14:45
[D5-O9-04] Interface chemistry and electric properties of 4H-SiC/SiO2 and the influence of annealing atmospheres
キーワード:power electronics, silicon carbide, X-ray photoelectron spectroscopy, buried interfaces
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン