Development of New Oxynitride Semiconductors with Tunable Band Gaps Using Magnetron Sputtering

Naho Itagaki

講演情報

Oral Session

H. Innovative Materials Processing for Sustainable Society » [H-2] Plasma-Based Synthesis, Processing and Characterization of Materials for Energy and Environment

[H2-O8] Slot 08

2021年12月16日(木) 09:00 〜 12:00 Room E (G416+417)

Chair: Kenji Ishikawa

10:40 〜 11:00

[H2-O8-05 (Symposium Invited)] Development of New Oxynitride Semiconductors with Tunable Band Gaps Using Magnetron Sputtering

*Naho Itagaki¹ (1. Kyushu Univ. (Japan))

キーワード：Magnetron sputtering, Ar/N2 plasma, Oxynitride semiconductors, ZnO, InN, AlN

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