MRM2023/IUMRS-ICA2023

講演情報

Poster Session

A. Fundamentals » [A-1] New Methodology for Developing Innovative Materials

[A1-P304] Poster 304

2023年12月13日(水) 18:30 〜 20:30 Poster (Annex)

[A1-P304-06] Formation process of asymmetric grain boundaries acting as dislocation sources in silicon revealed by STEM at elevated temperatures

*YUTAKA OHNO1, Hikaru Saito2, Jianbo Liang3, Tatsuya Yokoi4, Katsuyuki Matsunaga4, Naoteru Shigekawa3, Koji Inoue1, Yasuyoshi Nagai1, Satoshi Hata5 (1. IMR, Tohoku Univ. (Japan), 2. OMCE, Kusyu Univ. (Japan), 3. GSE, OMU (Japan), 4. GSE, Nagoya Univ. (Japan), 5. IGSES, Kushu Univ. (Japan))

キーワード:Grain boundaries, Silicon, dislocation sources, STEM

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