Influence of IV-group atom occupied X-site on transport properties of double half-Heusler alloy based on X2FeNiSb2

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Oral Session

B. Energy » [B-1] Thermoelectric Materials for Sustainable Development

[B1-O503] Oral 503

2023年12月15日(金) 16:30 〜 18:30 Session 4 (Room D)

Chair: Yuri Grin (Max-Planck-Institut für Chemische Physik fester Stoffe, Chemische Metallkunde)

*Illia Serhiienko^1,2, Takao Mori^1,2 (1. University of Tsukuba (Japan), 2. National Institute for Materials Science (Japan))

キーワード：double half-Heusler, band convergence, isovalent substitution

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