Stacked Gate-All-Around Nanosheet Channel Ferroelectric HfxZr1–xO2 FETs With MH3 Plasma Treatmemt Featuring High Footprint Current

講演情報

Oral Session

Ferroelecric Materials & Devices

2023年6月12日(月) 16:40 〜 18:10 Shunjyu I (Shunjyu I)

Chair:Katsuhiko Nishiguchi(NTT Basic Research laboratories)

16:40 〜 17:10

Dong-Ru Hsieh¹, Chia-Chin Lee¹, *Tien-Sheng Chao¹ (1. National Yang Ming Chiao Tung University (NYCU) (Taiwan))

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